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高性能聚酰亞胺薄膜

高性能聚酰亞胺薄膜

WXCPI-091
聚酰亞胺薄膜(WXCPI-091)是由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二胺基二苯醚(ODA)在強極性溶劑中經縮聚并流延成膜再經亞胺化而成。該膜具有優良的物理、化學、電氣絕緣性能,并且耐高低溫、耐溶劑、耐原子輻射,能在-269℃至400℃(-452°F至752°F)的溫度范圍內長期使用。
高性能聚酰亞胺薄膜

高性能聚酰亞胺薄膜

WXCPI-073
聚酰亞胺薄膜(WXCPI-073)是由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二胺基二苯醚(ODA)在強極性溶劑中經縮聚并流延成膜再經亞胺化而成。該膜具有優良的物理、化學、電氣絕緣性能,并且耐高低溫、耐溶劑、耐原子輻射,能在-269℃至400℃(-452°F至752°F)的溫度范圍內長期使用。
高性能聚酰亞胺薄膜

高性能聚酰亞胺薄膜

WXCPI-052
聚酰亞胺薄膜(WXCPI-052)是由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二胺基二苯醚(ODA)在強極性溶劑中經縮聚并流延成膜再經亞胺化而成。該膜具有優良的物理、化學、電氣絕緣性能,并且耐高低溫、耐溶劑、耐原子輻射,能在-269℃至400℃(-452°F至752°F)的溫度范圍內長期使用。
導熱聚酰亞胺薄膜

導熱聚酰亞胺薄膜

WXCPI-MT
導熱聚酰亞胺薄膜(WXCPI-MT)是在普通聚酰亞胺制造基礎上,通過添加特殊納米材料使薄膜不僅具有普通聚酰亞胺薄膜所有的優異特性,并且具有極好的均勻導熱性,導熱系數能達到普通聚酰亞胺薄膜的3倍以上。由于優異的導熱性為高密度的電子集成元器件提供了理想的熱量傳導和控制方案。
抗電暈型聚酰亞胺F46薄膜

抗電暈型聚酰亞胺F46薄膜

WXCPI-FCR
WXCPI-FCR是耐電暈聚酰亞胺薄膜(WXCPI-CR100)單面或雙面涂覆聚全氟乙丙烯F46(FEP)樹脂經高溫燒結而成。它兼具了耐電暈聚酰亞胺薄膜和F46(FEP)樹脂的優點,具有耐電暈、高導熱、高耐溫、耐輻射、優良的電氣性能、尺寸穩定性和自粘性等優點。被廣泛地應用于H-C級電機、電器、電纜和電磁線的繞包絕緣。
抗電暈型聚酰亞胺薄膜

抗電暈型聚酰亞胺薄膜

WXCPI-CR100
耐電暈聚酰亞胺薄膜(WXCPI-CR100)具有普通聚酰亞胺薄膜所有優良的綜合性能外,特別具有超強的耐電暈性能,工作溫度范圍-112°F至500°F(-80℃至260℃)。主要用于耐電暈電磁線以及作為KYPIFCR的基材。
雙軸拉伸型聚酰亞胺薄膜

雙軸拉伸型聚酰亞胺薄膜

WXCPI-B系列
雙軸拉伸型聚酰亞胺薄膜(WXCPI-B系列)的各方面性能優于普通型的聚酰亞胺薄膜(WXCPI),各項同向性更優異,厚度公差更均勻。
黑色聚酰亞胺薄膜

黑色聚酰亞胺薄膜

WXCPI-091B
黑色聚酰亞胺薄膜(WXCPI-091B)是在普通聚酰亞胺制造基礎上,通過添加特殊納米材料使薄膜不僅具有普通聚酰亞胺薄膜的耐高溫、耐候性、化學穩定性等優異性,并且具有極好的遮光特性,相比于傳統的表面涂層型的黑色聚酰亞胺薄膜,WXCPI-091B顏色更均勻,彎曲無開裂。
音圈用聚酰亞胺薄膜

音圈用聚酰亞胺薄膜

WXCPI-072
音圈用聚酰亞胺薄膜除了普通型聚酰亞胺薄膜的性能外,該類型薄膜具有更好的尺寸穩定性能。
聚酰亞胺F46薄膜

聚酰亞胺F46薄膜

WXCPI-F系列
WXCPI-F系列是由聚酰亞胺薄膜在單面(FH)或雙面(FHF)涂布聚全氟乙丙烯樹脂經高溫燒結而成。WXCPI-FEP綜合了聚酰亞胺薄膜和氟塑料的特點,耐高低溫、耐輻射、電氣性能優越、尺寸穩定,同時具有自粘性。被廣泛地應用于H-C級電機、電器、電纜和電磁線的繞包絕緣。在一定溫度下,可迅速融化成型,簡化了工藝,提高了效率。
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